Memoria QLC Samsung a 280 layer: fino a 16 Terabyte di spazio sugli SSD M.2

Samsung si prepara ad abbattere tutte le frontiere nel mercato dello storage dei dati. I portavoce dell’azienda sudcoreana sostengono che la tecnologia sviluppata è in grado di offrire fino al 50% di spazio in più, rispetto alla concorrenza, sulle moderne unità SSD M.2. Merito della nuova generazione di memorie QLC 3D NAND V9, capaci di portare la densità a 28,5 Gb/mm².

Le memorie NAND QLC (Quad-Level Cell) sono un tipo di tecnologia utilizzata nella produzione di dispositivi di archiviazione, come unità a stato solido (SSD). QLC utilizza una memoria flash a celle multiple, in cui ogni cella può memorizzare più di due stati di carica e rappresenta uno sviluppo rispetto alle memorie TLC (Triple-Level Cell) e MLC (Multi-Level Cell).

Mentre le memorie SLC (Single-Level Cell) memorizzano un solo bit per cella, le MLC ne conservano due, le TLC tre; le memorie QLC rappresentano la successiva evoluzione memorizzando quattro bit per cella. Già nel 2019 dicevamo che gli SSD QLC erano ormai veloci e affidabili.

La densità aumenta nelle nuove memorie QLC V9 di Samsung, ma crescono anche le prestazioni

Le memorie QLC NAND V9 di casa Samsung si preannunciano anche performanti, con una velocità di trasferimento massima pari a 3,2 Gbps per chip. Un valore che pone i futuri prodotti una spanna più in alto anche rispetto agli attuali dispositivi QLC più evoluti, che si fermano a 2,4 Gbps.

Non è dato sapere come gli ingegneri Samsung intenderanno organizzare la cache: sappiamo infatti che gli attuali SSD QLC usano una cache pSLC che rappresenta fino al 25% della capacità totale disponibile. A seconda delle memorie NAND utilizzate, è riscontrabile una flessione nella velocità di scrittura pari a 100-300 MB/s quando la cache risulta piena. Raddoppiando la capienza a parità di spazio, è verosimile che le nuove unità basate sulla flash QLC V9 offra una cache più generosa, a fronte di un costo a gigabyte contenuto.

Stando ai dati condivisi da Samsung, l’azienda potrebbe rilasciare unità a stato solido di nuova generazione con una capienza massima pari a ben 16 Terabyte, quando lo standard di mercato per le unità consumer M.2 si ferma oggi a 8 TB.

Con i suoi 28,5 Gb/mm², le nuove memorie Samsung QLC 3D NAND V9 hanno una densità superiore di quasi il 50% rispetto alle YMTC 232L QLC NAND (20,63/mm²), al momento il punto di riferimento assunto dall’industria. Le memorie flash Micron TLC a 232 layer seguono con 19,5 Gb/mm².