Presentata una memoria RAM non volatile che consuma 100 volte di meno

Un gruppo di ricercatori dell’Università di Lancaster (Regno Unito) hanno presentato un prototipo di memoria flash non volatile, battezzata per il momento UK III-V, veloce come le attuali DRAM ma che necessita soltanto dell’1% di energia per la scrittura dei dati.

Secondo gli accademici UK III-V utilizzebbe appena 10^-17 J per scrivere i dati; un valore che sarebbe ulteriormente migliorabile ottimizzando il processo litografico, attualmente a 20 nm.

L’aspetto negativo è che per far passare la cella di memoria da uno stato all’altro, la latenza deve necessariamente aumentare. In termini di tempi di accesso, la memoria UK III-V è quindi molto più lenta rispetto alle DRAM.
I ricercatori fanno presente che se questo tipo di memorie dovessero raggiungere la fase produttiva, verrà aggiunto un controller che consentirà di ridurre significativamente le latenze.

Ovviamente disporre di una memoria non volatile veloce come le DRAM è sicuramente qualcosa di estremamente positivo perché consentirebbe la creazione di dispositivi capaci di mantenere i dati memorizzati nella RAM anche quando sono spenti e in grado di riavviarsi in tempo record quando vengono di nuovo alimentati.
A ciò si aggiunge la possibilità per il sistema di spegnere in hardware i moduli RAM per risparmiare energia quando non vengono utilizzati riaccendendoli quando necessario.

La tecnologia alla base dell’utilizzo di memorie non volatili come quella messa appunto nel Regno Unito è tuttavia ancora in fase embrionale: bisognerà innanzi tutto verificarne il funzionamento migliorandone la miniaturizzazione e integrando un controller.
Ciononostante, la ricerca è davvero promettente e certamente continuerà ad essere sviluppata per arrivare a produrre i primi moduli di memoria davvero utilizzabili nei dispositivi che utilizziamo ogni giorno.

Tutti i dettagli sul lavoro svolto dai ricercatori dell’Università di Lancaster sono disponibili a questo indirizzo.