Samsung al lavoro sui chip QLC per i nuovi SSD più capienti ed economici oltre che sulle memorie RAM 1y nm

I produttori di chip di memoria 3D NAND stanno a poco a poco passando alla produzione di wafer QLC (quad-level cell) che permetteranno di memorizzare quattro bit di informazione per ogni singola cella.
Si tratta di un’evoluzione tecnologica particolarmente utile perché consentirà di incrementare la capacità delle unità di memorizzazione riducendo allo stesso tempo i costi di produzione.

Produrre chip QLC non è affatto banale: se già una cella di memoria TLC (triple-level cell, a tre bit) deve mantenere e gestire otto possibili valori (2³) corrispondenti ad altrettanti livelli di tensione, le QLC o quad-level cell devono mantenere addirittura 16 valori (2⁴ dove 4 sono appunto i bit gestiti), come spiegato nel nostro articolo Hard disk o SSD, caratteristiche e differenze.

Fino ad oggi Samsung non aveva ancora fornito alcun commento sui suoi piani di sviluppo per le unità SSD del futuro. L’azienda, però, rompe adesso il silenzio e conferma che i prodotti presto immessi sul mercato saranno destinati sia alle imprese che agli utenti consumer.

Gli SSD QLC di Samsung poggeranno su memorie V-NAND (appellativo usato dalla società sudcoreana per riferirsi alle 3D NAND) e permetteranno di raggiungere fino a 2.500 MB/s per quanto riguarda la velocità di trasferimento dati e 160.000 IOPS nei modelli basati su interfaccia PCIe.

Va detto che i chip QLC, allo stato attuale, sono contraddistinti da una minore durabilità rispetto ai TLC di più recente fattura: sono accreditati di circa 1.000 cicli PE (program-erase) anziché 3.000 PE come nel caso dei QLC.
Le unità QLC, inoltre, dovranno poggiare su driver ulteriormente ottimizzati per non rischiare di ridurre la durabilità: su questo punto Samsung non si è ancora espressa.

Primi chip LPDDR4X realizzati ricorrendo al processo costruttivo 1y nm

Samsung ha poi confermato la realizzazione dei primi moduli RAM realizzati a 1y nm (all’atto pratico tra 10 e 19 nm) ricorrendo a un processo costruttivo di seconda generazione.
Al momento ci si è concentrati sulle memorie LPDDR4X destinate ai dispositivi mobili e capaci di trasferire fino a 4266 Mb/s.

Il nuovo processo 1y nm, se paragonato al precedente 1x nm, permette di incrementare la produzione del 70% potendo offrire pacchetti da 8 GB che combinano quattro chip da 16 Gb (2 GB ciascuno). L’ampiezza di banda garantita dalle nuove memorie è di 34,1% con uno spessore che si riduce del 20% rispetto alla prima generazione delle RAM LPDDR4.

Nei giorni scorsi Samsung aveva svelato i progressi compiuti nella realizzazione dei primi chip LPDDR5: Samsung presenta il primo chip LPDDR5 con capacità di 8 Gigabit.